第二十一章 一步之遥 (第2/3页)
子里是一个个固定底部自动流转的环形水槽，两两相对的水槽中间是各个挑杆，挑杆是通过齿轮完全的连在一起，这样当电机转动时，挑杆会起起伏伏的向前走动，这样挂在挑杆上的晶圆会因为挑杆的上下起伏和向前的走动，带动放在挑杆机器臂上的晶圆而深入不同的腐蚀液中，水槽中又有一些张亿诚也不知道的微型机器在工作，随着各个水槽长度的不同，晶圆会在不同的水槽中接受时间不等的处理。
博士对蚀刻的各个参数又是好一番校对，最终关上机器的门然后启动了电源，这次老富兰克林没有在问什么，博士自动把目的说了出来“这是对在显影后除去没有曝光光刻胶保护的凹进去的氧化硅紧接着是把光刻胶溶解掉，氧化硅完全腐蚀掉后，这个时候微处理器芯片一层表面的三维视图已经成型，后面还需要对凹槽离子注入进行掺杂。”
时间过去了半个小时，按照预定的设定，机器终于停了下来，迪尔博士把已经完成刻蚀的硅晶片取出一个放在显微镜下对刻蚀的效果做评估，大致看上去没有明显缺陷的将近入下一步的流程中。在没有发现有明显缺陷后，准备开始下一步的工序。
博士把完成刻蚀、去光刻胶清洗后的硅晶片，放入离子注入机，这机器以前张亿诚倒是见过也用过，原理就是先把要对凹形内要掺杂物质如硼、磷或者砷之类先离子化；在利用质量分离器取出需要的杂质离子，分离器中装有磁体和屏蔽层，由于质量，电量的不同不需要的离子将被磁场分离，并且被屏蔽层吸收掉，有点类是铁矿石选矿机的工作原理，只是更微型化。通过磁场中的加速，离子会被加速到一个很高的速度，专业术语叫能级；这时通过特殊的装置这些离子会聚成离子束，在扫描系统控制下，离子束高速轰击在注入室的硅晶片上，这个时候sio2被刻蚀掉的凹形区里，离子直接shè入衬底材料（高存硅）的晶体中、不需要的离子通过别的装备被
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